2012年9月，西安三星半导体一期项目开工建设，2014年5月建成投产。投资总额由建厂时计划的70亿美元增加到实际完成投资108.7亿美元，其中闪存芯片项目投资100亿美元，封装测试项目投资8.7亿美元。
2017年8月30日，西安三星半导体投资70亿美元在西安高新区建设12英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019年12月，该公司决定再投资80亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品迭代。
据公开数据统计，通过此次扩建，三星电子的NAND闪存生产能力，极有可能占世界市场的10%以上。
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